ЗАКОНОМІРНОСТІ ЗМІНИ ТА ПРОГНОЗ ПОКАЗНИКІВ ТЕМПЕРАТУРИ ПЛАВЛЕННЯ І ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНОЇ ДОБРОТНОСТІ СПОЛУК ТИПУ Tl4BIVC3 I Tl9BVC6 (BIV – Si, Ge, Sn, Pb; BV – P, As, Sb, Bi; C – S, Se, Te)
DOI:
https://doi.org/10.24144/2414-0260.2021.1.16-20Анотація
Робота є продовженням систематичного дослідження кристалохімічних аналогів сполук типу Tl5Te3 з тетрагональною структурою, що кристалізуються в просторових групах I4/mcm або P4/ncc. Дослідження, що проводиться співробітниками ДВНЗ «Ужгородський національний університет» протягом останніх десятиріч, виявило, що згадані сполуки проявляють низку фізичних властивостей, перспективних для практичного використання в сучасній техніці. Предметом цієї роботи став взаємозв'язок деяких фізико-хімічних властивостей тернарних халькогенідних сполук типу Tl4BIVC3 і Tl9BVC6 (BIV – Si, Ge, Sn, Pb; BV – P, As, Sb, Bi; C – S, Se, Te) із середнім зарядом їхніх атомних ядер. Деякі із представлених у роботі прогнозних величин температури плавлення можуть відповідати температурі перитектичного (або іншого типу) перетворення, оскільки характер утворення та властивості зазначеного типу сполук на сьогодні ще не досліджені.
Уперше за результатами узагальнення літературних відомостей, детального аналізу та висновків із них встановлено прогнозні показники температури плавлення для 24 халькогенідних сполук складів Tl4BIVC3 (І) і Tl9BVC6 (ІІ). Виділено п’ять окремих груп тернарних халькогенідів обох типів із прямолінійною залежністю зміни властивостей у координатах Тпл – Zсер, до яких входять аналоги з обома просторовими групами – P4/ncc та I4/mcm. Встановлено граничний діапазон величин Zсер трансформації вищезгаданих сполук із просторової групи P4/ncc в групу I4/mcm; визначений діапазон знаходиться у межах значень Zсер 60-62. Тернарні сполуки Tl9P(As,Sb,Bi)S6, Tl9P(As)Se6, Tl4Si(Ge,Sn,Pb)S3 і Tl4Si(Ge,Sn)Se3 віднесено до просторової групи P4/ncc, тоді як халькогеніди Tl9P(As,Sb,Bi)Te6, Tl9Sb(Bi)Se6, Tl4Si(Ge,Sn,Pb)S3 та Tl4PbSe3 – до просторової групи I4/mcm.
Відмічено чітку тенденцію до зростання величини термоелектричної добротності Zт для окремо взятих тіо-, селено- та телуропохідних сполук при взаємозаміщеннях елементів Si→Ge→Sn→Pb. Аналогічні зміни Zт встановлено також для переважної більшості сполук типу (ІІ) при переходах P→As→Sb→Bi. Виняток із зазначеної тенденції складають тіо-, селено- і телуропохідні бісмуту.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ліцензування
Стаття та будь-який пов’язаний з нею опублікований матеріал поширюється за ліцензією Attribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)
Умови цієї ліцензії не впливають на права автора чи іншого творчого виконавця захищати цілісність і право власності на свою роботу.
Авторське право на макет журналу та обкладинки повністю належить ДВНЗ "Ужгородський національний університет".
Весь контент публікується добросовісно, і думки, висловлені авторами, є тільки їхніми та не обов’язково відображають точку зору ДВНЗ "Ужгородський національний університет".
Автори надають РВВ ДВНЗ "Ужгородський національний університет" ліцензію на публікацію статті та ідентифікують себе як першовидавця.
Авторське право
Авторські права на будь-яку статтю зберігаються за автором(ами).
Публікацію статті мають схвалити всі автори та відповідальні органи інститутів, в яких виконувалося дослідження, якщо такі є.
Автори можуть уповноважити одного зі своїх співавторів діяти від їхнього імені та бути автором-кореспондентом, який відповідає за листування з редакційною командою журналу.
Автори можуть надати будь-якій третій стороні право вільно використовувати статтю за умови зазначення авторів та належного оформлення цитування.