ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ В ОБЛАСТІ ГОМОГЕННОСТІ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНОЇ МОДИФІКАЦІЇ Ag8GeS6

Анотація

Катіонні іонні провідники знайшли широке практичне застосування у якості електричних акумуляторів, а комерційно найпоширенішими є літій іонні акумулятори. Однак активно ведуться дослідження, щодо підвищення безпеки даних акумуляторів. Серед можливих сполук привабливими є срібло-вмісні фази, оскільки іони срібла поряд з високою провідністю не володіють високою хімічною активністю як ті ж іони лужних металів. Реалізація необхідної для ефективного іонного транспорту кристалічної структури спостерігається у сполуках структури аргіродиту – групі тернарних халькогенідів та тетрарних галогенхалькогенідів багатозарядних катіонів (Ge⁴⁺, Si⁴⁺, P⁵⁺). У даній роботі проведено дослідження гетеровалентного катіонного заміщення P⁵⁺→Ge⁴⁺ у області збагаченої Ag₈GeS₆. Здійснено вирощування монокристалів Ag_8-x(Ge_1-xP_x)S₆ (x = 0.25; 0.5) методом спрямованої кристалізації з розчину-розплаву. Вирощені монокристали характеризуються відсутністю макродефектів, темно-сірого кольору з металевим блиском та розмірами l = ~3 cм та d = 1.2 см. З використанням методу Рітвельда встановлено кристалічну структуру та розраховано параметри елементарної комірки твердих розчинів Ag_8-x(Ge_1-xP_x)S₆ (x = 0.25; 0.5). Монокристали Ag_8-x(Ge_1-xP_x)S₆ (x = 0.25; 0.5) кристалізуються в орторомбічній сингонії з примітивною елементарною коміркою та просторовою групою Pna2₁.

Ключові слова: аргіродити; монокристали; спрямована кристалізація; фазовий аналіз.