ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО Ag8GeS6

Анотація

Сполуки структури аргіродиту завдяки одночасному співіснуванню «жорсткого» аніонного каркасу та розупорядкованої катіонної підрешітки володіють високими значеннями іонної провідності у твердому стані. У зв’язку з цим аргіродити відносяться до перспективних суперіонних матеріалів для використання у якості робочого елементу твердотільних акумуляторів. У даній роботи представлено результати дослідження електрофізичних параметрів монокристалу Ag₈GeS₆ вирощеного метолом спрямованої кристалізації з розплаву. Методом РФА встановлено, що вирощений монокристал Ag₈GeS₆ кристалізується у низькотемпературній орторомбічній модифікації з параметри елементарної комірки: a = 15.147 Å, b = 7.469 Å, c = 10.584 Å. На орієнтованій по площині (011) монокристалічній пластині Ag₈GeS₆ методом імпедансної спектроскопії здійснено дослідження частотної (10 Гц – 0.3 МГц) та температурної (20 – 110°C) залежності електропровідності. На частотних залежностях загальної електропровідності Ag₈GeS₆ спостерігається зростання значень загальної електропровідності із зростанням частоти, що є типовими для змішаних іонно-електронних провідників. Визначено, що загальна провідність монокристалу Ag₈GeS₆ становить 3.82×10^–5 См/см, а енергія активації – 0.728 еВ.

Ключові слова: аргіродити; монокристали; електрична провідність; фазовий аналіз.