СТРУКТУРНИЙ ТИП La2PbSi2S8
DOI:
https://doi.org/10.24144/2414-0260.2019.1.20-24Ключові слова:
crystal structure, X-ray powder method, rare-earth chalcogenidesАнотація
Вивчення кристалічної структури сполук La(Ce,Pr,Nd)2PbSi2S8, La(Ce,Pr,Nd)2PbSi2Se8 і Ce2PbGe2S8 проведено рентгенівським методом монокристалу, а сполук Sm(Gd,Tb,Dy,Y,Ho,Er)2PbSi2S8, Sm(Gd)2PbSi2Se8, La(Pr)2PbGe2S8 і La2PbGe2Se8 – рентгенівським методом порошку.
Ці фази кристалізуються в гексагональній сингонії (просторова група , символ Пірсона hR78). Кристалічні структури R2PbSi(Ge)2S(Se)8 можна розглядати як похідні від кристалічної структури Eu3As2S8 (2Eu3+ ® 2R3+, Eu2+ ® Pb2+). Атоми R і Pb у структурі R2PbSiS8 займають відповідні позиції атомів Eu у структурі сполуки Eu3As2S8, а атоми Si(Ge) – відповідні позиції атомів As. Проведені дослідження дозволили визначити параметри елементарної комірки двадцяти однієї тетрарної фази: 0,9052 нм, 2,6964 нм, 1,9135 нм3 (для La2PbSi2S8); 0,9003 нм, 2,6765 нм, 1,8787 нм3 (для Ce2PbSi2S8); 0,8974 нм, 2,6640 нм, 1,8581 нм3 (для Pr2PbSi2S8); 0,8942 нм, 2,6492 нм, 1,8348 нм3 (для Nd2PbSi2S8); 0,8885 нм, 2,6283 нм, 1,7970 нм3 (Sm2PbSi2S8); 0,8863 нм, 2,6185 нм, 1,7815 нм3 (для Gd2PbSi2S8); 0,8860 нм, 2,6118 нм, 1,7798 нм3 (для Tb2PbSi2S8); 0,8842 нм, 2,6003 нм, 1,7607 нм3 (для Dy2PbSi2S8); 0,8843 нм, 2,5975 нм, 1,7592 нм3 (для Y2PbSi2S8); 0,8842 нм, 2,5963 нм, 1,7582 нм3 (для Ho2PbSi2S8); 0,8830 нм, 2,5840 нм, 1,7448 нм3 (для Er2PbSi2S8); 0,9398 нм, 2,8089 нм, 2,1487 нм3 (для La2PbSi2Se8); 0,9351 нм, 2,7908 нм, 2,1138 нм3 (для Ce2PbSi2Se8); 0,9326 нм, 2,7779 нм, 2,0925 нм3 (для Pr2PbSi2Se8); 0,9299 нм, 2,7670 нм, 2,0725 нм3 (для Nd2PbSi2Se8); 0,9262 нм, 2,7487 нм, 2,0421 нм3 (для Sm2PbSi2Se8); 0,9232 нм, 2,7329 нм, 2,0172 нм3 (для Gd2PbSi2Se8); 0,9061 нм, 2,7187 нм, 1,9331 нм3 (для La2PbGe2S8); 0,9018 нм, 2,6980 нм, 1,9003 нм3 (для Ce2PbGe2S8); 0,8984 нм, 2,6867 нм, 1,8780 нм3 (для Pr2PbGe2S8); 0,9398 нм, 2,8273 нм, 2,1626 нм3 (La2PbGe2Se8).
Посилання
[. Marchuk O.V., Daszkiewicz M., Gulay L.D., Kaczorowski D. Crystal structure and magnetic properties of the R6Si4Se17 (R = La and Ce) compounds. J. Alloys compd. 2012, 528, 99–109.
Ruda I.P., Marchuk O.V., Gulay L.D., Olekseyuk I.D. Krystalichna struktura spoluk R1,32Pb1,68Ge1,67Se7 (R = Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy i Ho). Visnyk VDU, seriia “Khimichni nauky”. 2007, 13, 7–12 (in Ukr.).
Gulay L.D., Ruda I.P., Marchuk O.V., Olekseyk I.D. Crystal structures of the R2Pb3Sn3S12 (R = La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y, Er and Tm) compounds. J. Alloys compd. 2008, 457, 204–208.
Akselrud L., Grin Yu. WinCSD: software package for crystallographic calculations (Version 4), J. Appl. Cryst. 2004, 47, 803–805.
Sheldrick G.M. A short history of SHELX. Acta Cryst. A. 2008, 64, 112.
Gulay L.D., Daszkiewicz M., Ruda I.P., Marchuk O.V. La2Pb(SiS4)2. Acta Cryst. C. 2010, 66, 19–21.
Daszkiewicz M., Marchuk O.V., Gulay L.D. Kaczorowski D. Crystal structures and magnetic properties of R2PbSi2S8 (R = Y, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho), R2PbSi2Se8 (R = La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd) and R2PbGe2S8 (R = Ce, Pr) compounds. J. Alloys compd. 2012, 519, 85–91.
Kozlynets V.S., Marchuk O.V., Olekseyuk I.D., Gulay L.D. Fazovi rivnovagy u systemi Er2S3 – PbS – SiS2 za temperatury 770 K. VII International workshop “Relaxed, nonlinear and acoustic optical processes and materials” – RNAOPM’2014. Lutsk-Lake “Svityaz”. 2014, S. 208 (in Ukr.).
Marchuk O.V., Ruda I.P., Gulay L.D. Fazovi rivnovagy ta krystalichna struktura spoluk v kvazipotriinykh systemakh La2X3 – PbX – DIVX2 (DIV – Si, Ge, Sn; X – S, Se). V International workshop “Relaxed, nonlinear and acoustic optical processes and materials” – RNAOPM’2010. Lutsk-Lake “Svityaz”. 2010, S. 231 (in Ukr.).
Blashko N.M., Ruda I.P., Marchuk O.V., Gulay L.D. Systema La2Se3 – PbSe – GeSe2 pry 770 K. IV Mizhnarodna naukovo-praktychna konferentsiia aspirantiv i studentiv “Volyn ochyma molodykh naukovtsiv: mynule, suchasne, maibutnie”. Lutsk. 2010. S. 364 (in Ukr.).
Bera T.K., Iyer R.G., Malliakas Ch.D., Kanatzidis M.G. Eu3(AsS4)2 and AxEu3-yAs5-zS10 (A = Li, Na): Compounds with Simple and Complex Thioarsenate Building Blocks. Inorg. Chem. 2007, 46, 8466–8568.
