КРИСТАЛІЧНА СТРУКТУРА СПОЛУКИ AgGa2Тe3І

Анотація

Сполука AgGa₂Te₃I належить до тетрарних напівпровідників загальної формули A^ІВ^ІІІ₂X₃Y (A^І – Cu, Ag; В^ІІІ – Ga, In; X – S, Se, Те; Y - Cl, Br, I). Вперше методом порошку досліджено її будову, що кристалізуються в тетрагональній сингонії, пр. гр. I-4, структурний тип CuIn₂Te₃Cl, з параметрами комірки: a = 6.0041(4) Å, c = 11.965(1) Å. Сполуку синтезовано у вакуумованих кварцових ампулах з простих речовин та попередньо синтезованого AgI шляхом ступінчастого нагріву заздалегідь приготовленої шихти. Виходячи з температур плавлення компонентів шихти, була обрана максимальна температура синтезу 1070 К, подальший гомогенізуючий відпал при 770 К протягом 300 год. та наступне гартування у воді кімнатної температури. В результаті проведеного синтезу був отриманий компактний сплав сірого кольору, стійкий на повітрі. Зйомка дифрактограми подрібненого у порошок зразку проводилася на дифрактометрі ДРОН 4-13, CuKα випромінювання, засвітка в одній точці 15 сек. Для обрахунку структури використовували програму WinCSD. Структура сполуки уточнювалася методом Рітвельда. Були проаналізовані отримані результати по будові сполуки та показана її приналежність до дефектних напівпровідників.