ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АРГІРОДИТУ Ag8GeS6

Анотація

Мінерал Ag₈GeS₆ є родоначальником широкого класу тетраедрично щільно упакованих фаз об’єднаних спільною назвою аргіродити. Тернарні аргіродити є складними халькогенідами, що формуються на основі багато- та однозарядних катіонів. Структуроутворюючими поліедрами є тетраедри, що формується на основі багатозарядного катіону та халькогенів, а однозарядні катіони займають утворені пустоти. Аргіродити відносять до перспективних твердотільних провідників та термоелектриків. Метою даної роботи є розробка близьких до оптимальних умов вирощування монокристалів Ag₈GeS₆ методом спрямованої кристалізації з розплаву. Вихідна шихта Ag₈GeS₆ одержана з елементарних компонентів високої чистоти двостадійним однотемпературним методом. Методом ДТА підтверджено конгруентний характер плавлення Ag₈GeS₆ (Т_пл = 958°C) та проходження структурного фазового переходу Pna2₁→F-43m при температурі 227°C. Вирощування монокристалу Ag₈GeS₆ здійснювали з розплаву методом спрямованої кристалізації. Режим росту Ag₈GeS₆ підбирали з врахуванням характеру термічної поведінки сполуки на основі даних ДТА. Вирощений монокристал Ag₈GeS₆ довжиною ~ 30 мм та діаметром 12 мм та володіє середнім ступенем спайності. За результатами РФА встановлено, що вирощений монокристал Ag₈GeS₆ є однофазним та кристалізується в низькотемпературній модифікації ПГ Pna2₁ з параметрами гратки: a = 15.147 Å, b = 7.469 Å, c = 10.584 Å.