ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ МОНОКРИСТАЛУ TlSbP2Se6
DOI:
https://doi.org/10.24144/2414-0260.2024.1.34-38Ключові слова:
напівпровідник; халькогеніди; ширина забороненої зони; спектри пропускання; зонна структура.Анотація
Науковий інтерес до сполуки TlSbP2Se6 зумовлений рядом факторів. По-перше, дана сполука характеризується конгруентним характером плавлення, що дозволяє отримувати якісні об’ємні монокристали методом спрямованої кристалізації за Бріджменом. По-друге, вона характеризується ацентричною 2 D шаруватою структурою. Попередні дослідження монокристалів TlSbP2Se6 обмежувалися оптимізацією умов вирощування монокристалів, уточненням її кристалічної структури, визначенням її якісного та кількісного складу, визначенням області оптичної прозорості та оцінки фізичних характеристик із застосуванням квантово-хімічних розрахунків.
Метою даного дослідження було співставити розрахункові значення ширини забороненої зони TlSbP2Se6 із експериментально визначеними за результатами дослідження краю оптичного поглинання. Плоскопаралельні зразки монокристалічного TlSbP2Se6 сколювались по площині спайності. Визначення ширини забороненої зони за спектрами пропускання здійснювали графічно - методом Таука.
Встановлено, що сполука TlSbP2Se6 належить до прямозонних напівпровідників із шириною забороненої зони 1.81 еВ. Найбільш близькими до експериментального значення ширини забороненої зони виявилися значення розраховані за методиками Беке-Джонсона за допомогою модифікованого функціоналу із врахуванням параметра Хаббарда і спін-орбітальної взаємодії (TB-mBJ+U+SO) та без (mBJ).